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Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

691,84 €
Disponibilité : En stock
SKU
8806095575667
Samsung MZ-V9S4T0, 4 To, M.2, 7250 Mo/s

Brand: SAMSUNG | Codice Produttore : MZ-V9S4T0BW | Ean: 8806095575667
Une vitesse spectaculaire tous les jours
Exécutez vos tâches plus rapidement. Le 990 EVO Plus avec la dernière NAND offre des vitesses de lecture/écriture séquentielles boostées, jusqu'à 7 250 Mo/s et 6 300 Mo/s. Fichiers volumineux et transferts instantanés.

Restez au frais même avec des performances fulgurantes
Une puissance constante, des performances plus efficaces. Grâce au contrôleur en nickel, le 990 EVO Plus a une performance par watt de 73% supérieure au modèle précédent.

Maxi stockage. Maxi vitesse.
Exploitez toute la puissance de votre SSD grâce à la technologie Intelligent TurboWrite 2.0. Traitez plus rapidement les données massives et les graphiques lourds avec un TurboWrite plus étendu, désormais disponible jusqu'en 4 To.

Logiciel Samsung Magician
Faites en sorte que votre SSD fonctionne comme sur des roulettes. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances du SSD. C'est le moyen le plus sûr et le plus simple de migrer toutes vos données pour une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez l'état de santé du SSD et obtenez les dernières mises à jour.

Donner vie aux innovations
Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies révolutionnaires qui ont changé notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.

Performance
Augmentation de la vitesse de lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s, soit 45 % de plus que le modèle précédent.

Efficacité énergétique
La performance par watt est améliorée de 73% comparée au modèle précédent, pour plus de Mo/s par Watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique.

Polyvalence
Jusqu'à 4 To de capacité étendue et Intelligent TurboWrite 2.0.

Caractéristiques

Version NVMe
2.0
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Capacité du Solid State Drive (SSD)*
4 To
Facteur de forme SSD*
M.2
Interface*
PCI Express 4.0
NVMe*
Oui
Type de mémoire*
V-NAND TLC
composant pour*
PC
Le chiffrement matériel*
Oui
Taille du SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture
7250 Mo/s
Vitesse d'écriture
6300 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)
1050000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
1400000 IOPS
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Temps moyen entre pannes
1500000 h

Puissance

Tension de fonctionnement
3,3 V
Consommation électrique (Lecture)
5,5 W
Consommation électrique (Ecriture)
4,8 W
Consommation électrique (idle)
0,06 W
Consommation électrique DevSlp (mode veille)
5 mW

Poids et dimensions

Largeur
80,2 mm
Profondeur
2,38 mm
Hauteur
80,2 mm
Poids
9 g

Informations sur l'emballage

Largeur du colis
148 mm
Profondeur du colis
100 mm
Hauteur du colis
22 mm
Poids du paquet
70 g

Conditions environnementales

Température d'opération
0 - 70 °C
Choc durant le fonctionnement
1500 G


Deposito 27

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Brand: SAMSUNG | Codice Produttore : MZ-V9S4T0BW | Ean: 8806095575667
Une vitesse spectaculaire tous les jours
Exécutez vos tâches plus rapidement. Le 990 EVO Plus avec la dernière NAND offre des vitesses de lecture/écriture séquentielles boostées, jusqu'à 7 250 Mo/s et 6 300 Mo/s. Fichiers volumineux et transferts instantanés.

Restez au frais même avec des performances fulgurantes
Une puissance constante, des performances plus efficaces. Grâce au contrôleur en nickel, le 990 EVO Plus a une performance par watt de 73% supérieure au modèle précédent.

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Logiciel Samsung Magician
Faites en sorte que votre SSD fonctionne comme sur des roulettes. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances du SSD. C'est le moyen le plus sûr et le plus simple de migrer toutes vos données pour une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez l'état de santé du SSD et obtenez les dernières mises à jour.

Donner vie aux innovations
Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies révolutionnaires qui ont changé notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.

Performance
Augmentation de la vitesse de lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s, soit 45 % de plus que le modèle précédent.

Efficacité énergétique
La performance par watt est améliorée de 73% comparée au modèle précédent, pour plus de Mo/s par Watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique.

Polyvalence
Jusqu'à 4 To de capacité étendue et Intelligent TurboWrite 2.0.

Caractéristiques

Version NVMe
2.0
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Capacité du Solid State Drive (SSD)*
4 To
Facteur de forme SSD*
M.2
Interface*
PCI Express 4.0
NVMe*
Oui
Type de mémoire*
V-NAND TLC
composant pour*
PC
Le chiffrement matériel*
Oui
Taille du SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture
7250 Mo/s
Vitesse d'écriture
6300 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)
1050000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
1400000 IOPS
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Temps moyen entre pannes
1500000 h

Puissance

Tension de fonctionnement
3,3 V
Consommation électrique (Lecture)
5,5 W
Consommation électrique (Ecriture)
4,8 W
Consommation électrique (idle)
0,06 W
Consommation électrique DevSlp (mode veille)
5 mW

Poids et dimensions

Largeur
80,2 mm
Profondeur
2,38 mm
Hauteur
80,2 mm
Poids
9 g

Informations sur l'emballage

Largeur du colis
148 mm
Profondeur du colis
100 mm
Hauteur du colis
22 mm
Poids du paquet
70 g

Conditions environnementales

Température d'opération
0 - 70 °C
Choc durant le fonctionnement
1500 G


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